制造商产品编号:
RN4608(TE85L,F)
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
RN4608(TE85L,F)-DG
描述:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
库存:
2669 件 新原装 现货
12891758
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RN4608(TE85L,F) 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
22kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
47kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
频率 - 过渡
200MHz
功率 - 最大值
300mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SC-74, SOT-457
供应商设备包
SM6
基本产品编号
RN4608
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
RN4608(TE85LF)CT
RN4608(TE85LF)TR
RN4608(TE85LF)DKR
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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