制造商产品编号:
RN2906,LF
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
RN2906,LF-DG
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
库存:
5268 件 新原装 现货
12891052
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RN2906,LF 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
4.7kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
47kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
200MHz
功率 - 最大值
200mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
US6
基本产品编号
RN2906
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
RN2906LF(CTTR-DG
RN2906LFTR
RN2906LF(CTCT
RN2906LF(CTDKR
RN2906LF(CTTR
RN2906LFCT
RN2906LF(CTDKR-DG
RN2906,LF(CT
RN2906LFDKR
RN2906LF(CTCT-DG
RN2906,LF(CB
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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