制造商产品编号:
RN2711(TE85L,F)
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
RN2711(TE85L,F)-DG
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount 5-SSOP
库存:
12889167
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RN2711(TE85L,F) 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
-
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
-
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
400 @ 1mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
频率 - 过渡
200MHz
功率 - 最大值
200mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供应商设备包
5-SSOP
基本产品编号
RN2711
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
RN2711TE85LF
RN2711(TE85LF)DKR
RN2711(TE85LF)CT
RN2711(TE85LF)TR
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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