制造商产品编号:
RN2306,LF
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
RN2306,LF-DG
描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70
库存:
3000 件 新原装 现货
12889661
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RN2306,LF 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基座 （R1）
4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
47 kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
200 MHz
功率 - 最大值
100 mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SC-70, SOT-323
供应商设备包
SC-70
基本产品编号
RN2306
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
264-RN2306,LFCT
264-RN2306,LFTR
RN2306LFCT
RN2306LFTR-DG
RN2306,LF(T
RN2306LFDKR
RN2306,LF(B
RN2306LFTR
RN2306LFCT-DG
264-RN2306,LFDKR
RN2306LFDKR-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
数字证书
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