制造商产品编号:
RN1705JE(TE85L,F)
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
RN1705JE(TE85L,F)-DG
描述:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
库存:
510 件 新原装 现货
12891442
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RN1705JE(TE85L,F) 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
2.2kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
47kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
频率 - 过渡
250MHz
功率 - 最大值
100mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-553
供应商设备包
ESV
基本产品编号
RN1705
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
4,000
其他名称
RN1705JE(TE85LF)DKR
RN1705JE(TE85LF)TR
RN1705JE(TE85LF)CT
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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