制造商产品编号:
RN1102MFV,L3F
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
RN1102MFV,L3F-DG
描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
库存:
13398 件 新原装 现货
12889204
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RN1102MFV,L3F 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基座 （R1）
10 kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
10 kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 500µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
功率 - 最大值
150 mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-723
供应商设备包
VESM
基本产品编号
RN1102
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
8,000
其他名称
RN1102MFVL3F(BDKR-DG
RN1102MFVL3FDKR
RN1102MFV (TL3,T)
RN1102MFVL3FCT
RN1102MFV(TL3T)TR
RN1102MFV,L3F(B
RN1102MFVL3FTR
RN1102MFVL3F-DG
RN1102MFVTL3T
RN1102MFVL3F(BTR
RN1102MFVL3F(BTR-DG
RN1102MFV(TL3,T)
RN1102MFVL3F(BCT-DG
RN1102MFV(TL3T)CT
RN1102MFVL3F
RN1102MFV(TL3T)TR-DG
RN1102MFV,L3F(T
RN1102MFV(TL3T)DKR
RN1102MFV(TL3T)DKR-DG
RN1102MFVL3F(BDKR
RN1102MFV(TL3T)CT-DG
RN1102MFVL3F(BCT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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