制造商产品编号:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
描述:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
库存:
2900 件 新原装 现货
12988801
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HN4B102J(TE85L,F) 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN, PNP
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
1.8A, 2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
30V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 200mA, 2V
功率 - 最大值
750mW
频率 - 过渡
-
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SC-74A, SOT-753
供应商设备包
SMV
基本产品编号
HN4B102
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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