HN1A01FU-GR,LF
制造商产品编号:

HN1A01FU-GR,LF

Product Overview

制造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件编号:

HN1A01FU-GR,LF-DG

描述:

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6

库存:

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HN1A01FU-GR,LF 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 PNP (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
150mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
200 @ 2mA, 6V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 过渡
80MHz
工作温度
125°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
US6
基本产品编号
HN1A01

数据表和文档

数据表
HN1A01FU

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
HN1A01FUGRLFTCT
HN1A01FU-GRLFTR
HN1A01FUGRLFTDKR
HN1A01FUGRLFTDKR-DG
HN1A01FU-GR,LF(B
HN1A01FU-GR,LF(T
HN1A01FU-GRLFDKR-DG
HN1A01FUGRLFT
264-HN1A01FU-GR,LFCT
HN1A01FU-GRLFTR-DG
HN1A01FUGRLFTCT-DG
HN1A01FU-GRLFCT
HN1A01FUGRLFTTR-DG
HN1A01FU-GRLFDKR
HN1A01FU-GRLFCT-DG
HN1A01FUGRLFTTR
264-HN1A01FU-GR,LFTR
264-HN1A01FU-GR,LFDKR
HN1A01FU-GR,LKF(T

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
UMT1NTN
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
18393
部件编号
UMT1NTN-DG
单价
0.06
替代类型
Similar
零件编号
UMT1NFHATN
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
6022
部件编号
UMT1NFHATN-DG
单价
0.07
替代类型
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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