2SC6076(TE16L1,NV)
制造商产品编号:

2SC6076(TE16L1,NV)

Product Overview

制造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件编号:

2SC6076(TE16L1,NV)-DG

描述:

TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 150MHz 10 W Surface Mount PW-MOLD

库存:

12889979
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2SC6076(TE16L1,NV) 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
3 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
80 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大值)
1µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
180 @ 500mA, 2V
功率 - 最大值
10 W
频率 - 过渡
150MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包
PW-MOLD
基本产品编号
2SC6076

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
2,000
其他名称
2SC6076(TE16L1NV)-DG
2SC6076(TE16L1NV)TR
2SC6076TE16L1NV
2SC6076(TE16L1NV)
2SC6076 (TE16L1,NV)
2SC6076(TE16L1NV)INACTIVE
2SC6076(TE16L1NV)DKR
2SC6076(TE16L1NV)CT

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

替代模型

零件编号
MJD243T4G
制造商
onsemi
可用数量
2406
部件编号
MJD243T4G-DG
单价
0.22
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