制造商产品编号:
2SA1930,Q(J
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
2SA1930,Q(J-DG
描述:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
库存:
12890629
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2SA1930,Q(J 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
2 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
180 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1V @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止（最大值）
5µA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 100mA, 5V
功率 - 最大值
2 W
频率 - 过渡
200MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
供应商设备包
TO-220NIS
基本产品编号
2SA1930
附加信息
标准套餐
1
其他名称
2SA1930Q(J
2SA1930QJ
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
替代模型
数字证书
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