2SA1930(LBS2MATQ,M
制造商产品编号:

2SA1930(LBS2MATQ,M

Product Overview

制造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件编号:

2SA1930(LBS2MATQ,M-DG

描述:

TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS

库存:

12890736
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2SA1930(LBS2MATQ,M 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
2 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
180 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大值)
5µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
功率 - 最大值
2 W
频率 - 过渡
200MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
供应商设备包
TO-220NIS
基本产品编号
2SA1930

附加信息

标准套餐
1
其他名称
2SA1930(LBS2MATQM
2SA1930LBS2MATQM

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
数字证书
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