制造商产品编号:
2SA1869-Y(Q,M)
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
2SA1869-Y(Q,M)-DG
描述:
TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 10 W Through Hole TO-220NIS
库存:
12889794
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2SA1869-Y(Q,M) 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
3 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
600mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大值）
1µA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
70 @ 500mA, 2V
功率 - 最大值
10 W
频率 - 过渡
100MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
供应商设备包
TO-220NIS
基本产品编号
2SA1869
附加信息
标准套餐
1
其他名称
2SA1869YQM
2SA1869-Y(QM)
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
替代模型
零件编号
2SA2097(TE16L1,NQ)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
72
部件编号
2SA2097(TE16L1,NQ)-DG
单价
0.25
替代类型
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