制造商产品编号:
TSM4NB60CI
Product Overview
制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件编号:
TSM4NB60CI-DG
描述:
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
详细描述:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220
库存:
12998613
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
TSM4NB60CI 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Taiwan Semiconductor
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
500 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
ITO-220
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
基本产品编号
TSM4
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
4,000
其他名称
1801-TSM4NB60CI
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
TSM080N03PQ56
30V, 73A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM4NB65CI
650V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
SSF2429
MOSFET, P-CH, SINGLE, -5A, -20V,