ULN2075B
制造商产品编号:

ULN2075B

Product Overview

制造商:

STMicroelectronics

零件编号:

ULN2075B-DG

描述:

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 80V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)

库存:

7 件 新原装 现货
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ULN2075B 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
STMicroelectronics
包装
Tube
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
4 NPN Darlington (Quad)
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
1.75A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
80V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
1.5V @ 2.25mA, 1.5A
电流 - 集电极截止(最大值)
-
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
-
功率 - 最大值
1W
频率 - 过渡
-
工作温度
-20°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
供应商设备包
16-PowerDIP (20x7.10)
基本产品编号
ULN2075

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
25
其他名称
497-3084-5-NDR
497-3084-5

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
TBD62064APG,HZ
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
804
部件编号
TBD62064APG,HZ-DG
单价
0.52
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