制造商产品编号:
ULN2069B
Product Overview
制造商:
STMicroelectronics
零件编号:
ULN2069B-DG
描述:
TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 80V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
库存:
12879752
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ULN2069B 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
STMicroelectronics
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
4 NPN Darlington (Quad)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
1.75A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
80V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1.5V @ 2.25mA, 1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）
-
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
-
功率 - 最大值
1W
频率 - 过渡
-
工作温度
-20°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
供应商设备包
16-PowerDIP (20x7.10)
基本产品编号
ULN2069
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
25
其他名称
497-2352-5-NDR
497-2352-5
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TBD62064APG,HZ
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
804
部件编号
TBD62064APG,HZ-DG
单价
0.52
替代类型
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