STW65N60DM6
制造商产品编号:

STW65N60DM6

Product Overview

制造商:

STMicroelectronics

零件编号:

STW65N60DM6-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 38A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 38A (Tc) Through Hole TO-247-3

库存:

595 件 新原装 现货
12878657
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STW65N60DM6 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
Tube
系列
MDmesh™ DM6
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
38A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (最大值) @ Id
-
Vgs (最大值)
±25V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247-3
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
STW65

数据表和文档

附加信息

标准套餐
600
其他名称
497-18313

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
R6077VNZ4C13
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
1190
部件编号
R6077VNZ4C13-DG
单价
7.97
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