制造商产品编号:
STW24NM60N
Product Overview
制造商:
STMicroelectronics
零件编号:
STW24NM60N-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 17A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
库存:
1144 件 新原装 现货
12873771
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STW24NM60N 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
Tube
系列
MDmesh™ II
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
17A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1400 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247-3
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
STW24N
附加信息
标准套餐
30
其他名称
497-12705-5
STW24NM60N-DG
497-12705-5-DG
497-STW24NM60N
2156-STW24NM60N
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPW60R165CPFKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
200
部件编号
IPW60R165CPFKSA1-DG
单价
2.54
替代类型
Similar
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制造商
Infineon Technologies
可用数量
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单价
1.54
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