制造商产品编号:
STV200N55F3
Product Overview
制造商:
STMicroelectronics
零件编号:
STV200N55F3-DG
描述:
MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
详细描述:
N-Channel 55 V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
库存:
12879648
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STV200N55F3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
-
系列
STripFET™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
55 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
200A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
10-PowerSO
包装 / 外壳
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
基本产品编号
STV200
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
600
其他名称
-497-7028-1
1805-STV200N55F3TR
497-7028-6
-497-7028-2
1805-STV200N55F3CT
497-7028-2
1805-STV200N55F3DKR
497-7028-1
1026-STV200N55F3
-497-7028-6
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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