STP3LN62K3
制造商产品编号:

STP3LN62K3

Product Overview

制造商:

STMicroelectronics

零件编号:

STP3LN62K3-DG

描述:

MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220
详细描述:
N-Channel 620 V 2.5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220

库存:

964 件 新原装 现货
12872613
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

STP3LN62K3 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
Tube
系列
SuperMESH3™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
620 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 50µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
386 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
45W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP3LN

数据表和文档

数据表
STD/F/P/U3LN62K3

附加信息

标准套餐
50
其他名称
497-11231-5
-497-11231-5

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IRFBE30PBF
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
2597
部件编号
IRFBE30PBF-DG
单价
0.83
替代类型
Similar
零件编号
IXTP4N80P
制造商
IXYS
可用数量
0
部件编号
IXTP4N80P-DG
单价
1.10
替代类型
Similar
零件编号
STF2N62K3
制造商
STMicroelectronics
可用数量
729
部件编号
STF2N62K3-DG
单价
0.59
替代类型
Similar
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
相关产品
stmicroelectronics

STF6N95K5

N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A

nxp-semiconductors

PHP176NQ04T,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

stmicroelectronics

STFH24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP

stmicroelectronics

STD18N65M5

MOSFET N-CH 650V 15A DPAK