制造商产品编号:
STFI10N62K3
Product Overview
制造商:
STMicroelectronics
零件编号:
STFI10N62K3-DG
描述:
MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
详细描述:
N-Channel 620 V 8.4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
库存:
1495 件 新原装 现货
12875137
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STFI10N62K3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
Tube
系列
SuperMESH3™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
620 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8.4A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 100µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1250 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
30W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-281 (I2PAKFP)
包装 / 外壳
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
基本产品编号
STFI10N
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
-497-13389-5
497-13389-5
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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