制造商产品编号:
STD8N65M5
Product Overview
制造商:
STMicroelectronics
零件编号:
STD8N65M5-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
详细描述:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
库存:
2230 件 新原装 现货
12881013
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STD8N65M5 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
Tape & Reel (TR)
系列
MDmesh™ V
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
7A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
690 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
70W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
DPAK
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
STD8N65
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
497-10878-1
497-10878-2
497-10878-6
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK11P65W,RQ
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
485
部件编号
TK11P65W,RQ-DG
单价
0.74
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