制造商产品编号:
STB22NM60N
Product Overview
制造商:
STMicroelectronics
零件编号:
STB22NM60N-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
库存:
12877056
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STB22NM60N 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
-
系列
MDmesh™ II
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
16A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 100µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1300 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
STB22
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
497-10298-2
-497-10298-6
497-10298-1
-497-10298-1
-497-10298-2
497-10298-6
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPB60R199CPATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
3260
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IPB60R199CPATMA1-DG
单价
1.72
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