制造商产品编号:
SCTH50N120-7
Product Overview
制造商:
STMicroelectronics
零件编号:
SCTH50N120-7-DG
描述:
SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
详细描述:
N-Channel 1200 V 65A 270W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
库存:
12877144
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SCTH50N120-7 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 （Vdss）
1200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
65A
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5.1V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
+22V, -10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1900 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
270W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
H2PAK-7
包装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
基本产品编号
SCTH50
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
SCTH50N120-7-DG
497-SCTH50N120-7DKR
497-SCTH50N120-7CT
497-SCTH50N120-7TR
环境与出口分类
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
SCTH60N120G2-7
制造商
STMicroelectronics
可用数量
0
部件编号
SCTH60N120G2-7-DG
单价
18.07
替代类型
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数字证书
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