SCT30N120D2
制造商产品编号:

SCT30N120D2

Product Overview

制造商:

STMicroelectronics

零件编号:

SCT30N120D2-DG

描述:

SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
详细描述:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™

库存:

12875915
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SCT30N120D2 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
-
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (Vdss)
1200 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
40A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (最大值)
+25V, -10V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
270W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
HiP247™
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
SCT30

附加信息

标准套餐
490

环境与出口分类

REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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