制造商产品编号:
SCT10N120
Product Overview
制造商:
STMicroelectronics
零件编号:
SCT10N120-DG
描述:
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
详细描述:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
库存:
12878188
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SCT10N120 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
STMicroelectronics
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 （Vdss）
1200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
12A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
+25V, -10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
290 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
150W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
HiP247™
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
SCT10
数据表和文档
附加信息
标准套餐
100
其他名称
497-16597-5
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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