制造商产品编号:
BUR51
Product Overview
制造商:
STMicroelectronics
零件编号:
BUR51-DG
描述:
TRANS NPN 200V 60A TO3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 60 A 16MHz 350 W Chassis Mount TO-3
库存:
12873226
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
BUR51 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
STMicroelectronics
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
60 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
200 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1.5V @ 5A, 50A
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
20 @ 5A, 4V
功率 - 最大值
350 W
频率 - 过渡
16MHz
工作温度
200°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
包装 / 外壳
TO-204AA, TO-3
供应商设备包
TO-3
基本产品编号
BUR51
附加信息
标准套餐
20
其他名称
497-2633-5
497-2633-5-NDR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
