制造商产品编号:
2SK536-TB-E
Product Overview
制造商:
Sanyo
零件编号:
2SK536-TB-E-DG
描述:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
详细描述:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount 3-CP
库存:
3000 件 新原装 现货
12946019
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2SK536-TB-E 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
50 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
100mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
-
Vgs （最大值）
±12V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
15 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
200mW (Ta)
工作温度
125°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
3-CP
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
数据表和文档
附加信息
标准套餐
1,411
其他名称
2156-2SK536-TB-E
ONSSNY2SK536-TB-E
环境与出口分类
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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