2SK536-TB-E
制造商产品编号:

2SK536-TB-E

Product Overview

制造商:

Sanyo

零件编号:

2SK536-TB-E-DG

描述:

N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
详细描述:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount 3-CP

库存:

3000 件 新原装 现货
12946019
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2SK536-TB-E 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
50 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
-
Vgs (最大值)
±12V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
15 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
200mW (Ta)
工作温度
125°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
3-CP
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

数据表和文档

附加信息

标准套餐
1,411
其他名称
2156-2SK536-TB-E
ONSSNY2SK536-TB-E

环境与出口分类

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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