2SC3600D
制造商产品编号:

2SC3600D

Product Overview

制造商:

Sanyo

零件编号:

2SC3600D-DG

描述:

2SC3600 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 100 mA 400MHz 1.2 W Through Hole TO-126

库存:

880 件 新原装 现货
12967796
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

2SC3600D 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
200 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
800mV @ 3mA, 30mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 10V
功率 - 最大值
1.2 W
频率 - 过渡
400MHz
工作温度
150°C (TJ)
年级
-
资格
-
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商设备包
TO-126

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
314
其他名称
2156-2SC3600D-600057

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
Vendor Undefined
REACH 状态
REACH Unaffected
数字证书
相关产品
fairchild-semiconductor

KSC2690YSTU

TRANS NPN 120V 1.2A TO126-3

onsemi

2SB817D

P-CHANNEL SILICON TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PBSS4612PA,115

NEXPERIA PBSS4612PA - SMALL SIGN

nxp-semiconductors

BC857BQAZ

NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN