制造商产品编号:
VT6M1T2CR
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
VT6M1T2CR-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
详细描述:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
库存:
64626 件 新原装 现货
13525860
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VT6M1T2CR 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏源电压 （Vdss）
20V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 100µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
-
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
7.1pF @ 10V
功率 - 最大值
120mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-SMD, Flat Leads
供应商设备包
VMT6
基本产品编号
VT6M1
数据表和文档
附加信息
标准套餐
8,000
其他名称
VT6M1T2CRCT
VT6M1T2CRTR
VT6M1T2CRDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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