制造商产品编号:
US6J11TR
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
US6J11TR-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
详细描述:
Mosfet Array 12V 1.3A 320mW Surface Mount TUMT6
库存:
5885 件 新原装 现货
13527012
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US6J11TR 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
12V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
290pF @ 6V
功率 - 最大值
320mW
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-SMD, Flat Leads
供应商设备包
TUMT6
基本产品编号
US6J11
数据表和文档
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
US6J11DKR
US6J11CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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