制造商产品编号:
SCT3080ALHRC11
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
SCT3080ALHRC11-DG
描述:
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
详细描述:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 134W Through Hole TO-247N
库存:
458 件 新原装 现货
13527233
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SCT3080ALHRC11 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 （Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
30A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5.6V @ 5mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs （最大值）
+22V, -4V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
571 pF @ 500 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
134W
工作温度
175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247N
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
SCT3080
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
30
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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