R6010ANX
制造商产品编号:

R6010ANX

Product Overview

制造商:

Rohm Semiconductor

零件编号:

R6010ANX-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
详细描述:
N-Channel 600 V 10A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM

库存:

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R6010ANX 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
10A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (最大值) @ Id
-
Vgs (最大值)
±30V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
50W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220FM
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
R6010

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
500

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STF10NM60N
制造商
STMicroelectronics
可用数量
553
部件编号
STF10NM60N-DG
单价
1.34
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