制造商产品编号:
HS8K1TB
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
HS8K1TB-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML
详细描述:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HSML3030L10
库存:
10480 件 新原装 现货
13524957
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HS8K1TB 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
10A (Ta), 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
348pF @ 15V, 429pF @ 15V
功率 - 最大值
2W (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-UDFN Exposed Pad
供应商设备包
HSML3030L10
基本产品编号
HS8K1
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
HS8K1TBCT
HS8K1TBDKR
HS8K1TBTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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