制造商产品编号:
EML20T2R
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
EML20T2R-DG
描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT6
库存:
13521878
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EML20T2R 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Not For New Designs
晶体管类型
NPN - Pre-Biased + Diode
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基座 （R1）
2.2 kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
47 kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
250 MHz
功率 - 最大值
150 mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
EMT6
基本产品编号
EML20
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
8,000
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
数字证书
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