制造商产品编号:
EMF8T2R
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
EMF8T2R-DG
描述:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
库存:
13523554
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EMF8T2R 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Not For New Designs
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V, 12V
电阻器 - 基座 （R1）
47kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
47kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
250MHz, 320MHz
功率 - 最大值
150mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
EMT6
基本产品编号
EMF8T2
附加信息
标准套餐
8,000
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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