EMD52T2R
制造商产品编号:

EMD52T2R

Product Overview

制造商:

Rohm Semiconductor

零件编号:

EMD52T2R-DG

描述:

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

库存:

12950455
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EMD52T2R 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列,预偏置
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基座 (R1)
22kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)
22kOhms
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 过渡
250MHz
功率 - 最大值
150mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
EMT6
基本产品编号
EMD52T

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
8,000
其他名称
846-EMD52T2RDKR
846-EMD52T2RCT
846-EMD52T2RTR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
NSBC124EDXV6T1G
制造商
onsemi
可用数量
3573
部件编号
NSBC124EDXV6T1G-DG
单价
0.05
替代类型
Direct
零件编号
PEMH1,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
4000
部件编号
PEMH1,115-DG
单价
0.07
替代类型
Upgrade
零件编号
PEMD2,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
2902
部件编号
PEMD2,115-DG
单价
0.06
替代类型
Upgrade
零件编号
RN4983FE,LF(CT
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
3850
部件编号
RN4983FE,LF(CT-DG
单价
0.02
替代类型
Direct
数字证书
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