制造商产品编号:
EMB18T2R
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
EMB18T2R-DG
描述:
TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
库存:
12995534
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EMB18T2R 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
ROHM Semiconductor
包装
-
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
22kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
-
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA (ICBO)
频率 - 过渡
250MHz
功率 - 最大值
150mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
EMT6
基本产品编号
EMB18
附加信息
标准套餐
8,000
其他名称
846-EMB18T2RTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
REACH 状态
REACH Unaffected
数字证书
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