DTC363EUT106
制造商产品编号:

DTC363EUT106

Product Overview

制造商:

Rohm Semiconductor

零件编号:

DTC363EUT106-DG

描述:

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A UMT3
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount UMT3

库存:

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DTC363EUT106 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
ROHM Semiconductor
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
600 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
20 V
电阻器 - 基座 （R1）
6.8 kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
6.8 kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
70 @ 50mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
80mV @ 2.5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
200 MHz
功率 - 最大值
200 mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SC-70, SOT-323
供应商设备包
UMT3
基本产品编号
DTC363

附加信息

标准套餐
3,000

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
PDTC143EU,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
72641
部件编号
PDTC143EU,115-DG
单价
0.02
替代类型
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零件编号
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单价
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0.02
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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