制造商产品编号:
2SD2096T114E
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
2SD2096T114E-DG
描述:
TRANS NPN 60V 3A HRT
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 8MHz 1.8 W Through Hole HRT
库存:
13524737
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2SD2096T114E 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
ROHM Semiconductor
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
3 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
60 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1V @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大值）
10µA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 500mA, 5V
功率 - 最大值
1.8 W
频率 - 过渡
8MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
HRT
供应商设备包
HRT
基本产品编号
2SD2096
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
2SD2096T114ECT
2SD2096T114EDKR
2SD2096T114EDKRINACTIVE
2SD2096T114ETR
2SD2096T114EDKR-ND
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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