制造商产品编号:
UPA2003C-A
Product Overview
制造商:
Renesas Electronics Corporation
零件编号:
UPA2003C-A-DG
描述:
NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 60V 500mA 900mW Through Hole 16-DIP
库存:
1875 件 新原装 现货
12974873
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UPA2003C-A 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
Renesas Electronics Corporation
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
7 NPN Darlington
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
60V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1.6V @ 500µA, 350mA
电流 - 集电极截止（最大值）
-
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
1000 @ 350mA, 2V
功率 - 最大值
900mW
频率 - 过渡
-
工作温度
-30°C ~ 75°C
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
16-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商设备包
16-DIP
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
299
其他名称
RENRNSUPA2003C-A
2156-UPA2003C-A
环境与出口分类
RoHS 状态
Not applicable
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
数字证书
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