制造商产品编号:
NP100P06PDG-E1-AY
Product Overview
制造商:
Renesas Electronics Corporation
零件编号:
NP100P06PDG-E1-AY-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 100A TO263
详细描述:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
库存:
12859983
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NP100P06PDG-E1-AY 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Renesas Electronics Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
100A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
15000 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta), 200W (Tc)
工作温度
175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
NP100P06
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
800
其他名称
NP100P06PDG-E1-AY-DG
2832-NP100P06PDG-E1-AY
559-NP100P06PDG-E1-AYCT
-1161-NP100P06PDG-E1-AYCT
559-NP100P06PDG-E1-AYTR
559-NP100P06PDG-E1-AYDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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