制造商产品编号:
2SK1341-E
Product Overview
制造商:
Renesas Electronics Corporation
零件编号:
2SK1341-E-DG
描述:
MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
详细描述:
N-Channel 900 V 6A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
库存:
12861393
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2SK1341-E 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Renesas Electronics Corporation
包装
-
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
900 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
-
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
980 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
100W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-3P
包装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
基本产品编号
2SK1341
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
1
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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