PJP2NA70_T0_00001
制造商产品编号:

PJP2NA70_T0_00001

Product Overview

制造商:

Panjit International Inc.

零件编号:

PJP2NA70_T0_00001-DG

描述:

700V N-CHANNEL MOSFET
详细描述:
N-Channel 700 V 2A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB

库存:

12971120
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PJP2NA70_T0_00001 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
PANJIT
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
700 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
2A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
45W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220AB
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
PJP2

数据表和文档

附加信息

标准套餐
50
其他名称
3757-PJP2NA70_T0_00001

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
SIHP5N80AE-GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
1010
部件编号
SIHP5N80AE-GE3-DG
单价
0.52
替代类型
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