PJD55N03_L2_00001
制造商产品编号:

PJD55N03_L2_00001

Product Overview

制造商:

Panjit International Inc.

零件编号:

PJD55N03_L2_00001-DG

描述:

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
详细描述:
N-Channel 30 V 10.5A (Ta), 55A (Tc) 2W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-252

库存:

12970638
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PJD55N03_L2_00001 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
PANJIT
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
10.5A (Ta), 55A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
7.1 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
763 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta), 54W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
PJD55

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
3757-PJD55N03_L2_00001TR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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