SVD2955T4G
制造商产品编号:

SVD2955T4G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

SVD2955T4G-DG

描述:

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述:
P-Channel 60 V 12A (Ta) 55W (Tj) Surface Mount DPAK

库存:

12857161
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

SVD2955T4G 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
12A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
55W (Tj)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
DPAK
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
SVD2955

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
SVD2955T4GOSDKR
SVD2955T4GOSCT
SVD2955T4GOSTR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
FQD11P06TM
制造商
onsemi
可用数量
58874
部件编号
FQD11P06TM-DG
单价
0.38
替代类型
Similar
零件编号
NTD2955T4G
制造商
onsemi
可用数量
20730
部件编号
NTD2955T4G-DG
单价
0.40
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
DMP6185SK3-13
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
3737
部件编号
DMP6185SK3-13-DG
单价
0.20
替代类型
Similar
零件编号
STD10P6F6
制造商
STMicroelectronics
可用数量
2376
部件编号
STD10P6F6-DG
单价
0.33
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

NVMFS5C426NWFAFT3G

MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN

onsemi

SCH2825-TL-E

MOSFET N-CH 30V 1.6A 6SCH

renesas-electronics-america

NP40N10PDF-E1-AY

MOSFET N-CH 100V 40A TO263

onsemi

NTPF150N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP