制造商产品编号:
NXH010P120MNF1PNG
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NXH010P120MNF1PNG-DG
描述:
SIC 2N-CH 1200V 114A
详细描述:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 250W (Tj) Chassis Mount
库存:
12973308
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NXH010P120MNF1PNG 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
Tray
系列
-
产品状态
Active
科技
Silicon Carbide (SiC)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源电压 （Vdss）
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.3V @ 40mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
454nC @ 20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
4707pF @ 800V
功率 - 最大值
250W (Tj)
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
包装 / 外壳
Module
供应商设备包
-
基本产品编号
NXH010
数据表和文档
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
28
其他名称
488-NXH010P120MNF1PNG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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