制造商产品编号:
NVMFD5C680NLT1G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NVMFD5C680NLT1G-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
详细描述:
Mosfet Array 60V 7.5A (Ta), 26A (Tc) 3W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
库存:
12857145
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
NVMFD5C680NLT1G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源电压 （Vdss）
60V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
7.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.2V @ 13µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
2nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
350pF @ 25V
功率 - 最大值
3W (Ta), 19W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
供应商设备包
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
基本产品编号
NVMFD5
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
1,500
其他名称
NVMFD5C680NLT1GOSTR
NVMFD5C680NLT1GOSCT
NVMFD5C680NLT1G-DG
NVMFD5C680NLT1GOSDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
PJQ5866A-AU_R2_000A1
制造商
Panjit International Inc.
可用数量
5478
部件编号
PJQ5866A-AU_R2_000A1-DG
单价
0.32
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
NTJD2152PT1G
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
VEC2415-TL-EX
MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
NVMFD5852NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 15A 8DFN
