制造商产品编号:
NVMD6P02R2G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NVMD6P02R2G-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
库存:
12842275
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NVMD6P02R2G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
20V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1700pF @ 16V
功率 - 最大值
750mW
工作温度
-
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包
8-SOIC
基本产品编号
NVMD6
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
2156-NVMD6P02R2G-OS
ONSONSNVMD6P02R2G
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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