制造商产品编号:
NVMD6N03R2G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NVMD6N03R2G-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
库存:
12847844
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NVMD6N03R2G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
950pF @ 24V
功率 - 最大值
1.29W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包
8-SOIC
基本产品编号
NVMD6
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
2156-NVMD6N03R2G-ONTR
ONSONSNVMD6N03R2G
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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