制造商产品编号:
NVH4L020N120SC1
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NVH4L020N120SC1-DG
描述:
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
详细描述:
N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L
库存:
862 件 新原装 现货
12938864
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
NVH4L020N120SC1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 （Vdss）
1200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
102A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.3V @ 20mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
+25V, -15V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2943 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
510W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247-4L
包装 / 外壳
TO-247-4
基本产品编号
NVH4L020
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
30
其他名称
488-NVH4L020N120SC1
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
NTF2955PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
NVMFS5C466NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN
NVMTS1D2N08H
MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
