NVH4L020N120SC1
制造商产品编号:

NVH4L020N120SC1

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NVH4L020N120SC1-DG

描述:

SICFET N-CH 1200V 102A TO247
详细描述:
N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L

库存:

862 件 新原装 现货
12938864
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NVH4L020N120SC1 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (Vdss)
1200 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
102A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.3V @ 20mA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (最大值)
+25V, -15V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
2943 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
510W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247-4L
包装 / 外壳
TO-247-4
基本产品编号
NVH4L020

数据表和文档

附加信息

标准套餐
30
其他名称
488-NVH4L020N120SC1

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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